麻省光子技術擬斥資2億 落戶科技園設研發中心

麻省光子技術在科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵（GaN）外延工藝研發中心，預計在港投資至少2億港元，3年目標年產1萬片氮化鎵晶圓產能。

科技園聯合麻省光子技術舉行香港首條超高真空第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮。

將開啟第三代半導體產業鏈 促進新質生產力發展

科技園聯合麻省光子技術舉行香港首條超高真空第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮。香港創新科技及工業局局長孫東教授預計合作將為整個第三代半導體產業鏈佈局，使新型工業化發展至紮實落地。政府公布的《香港創新科技發展藍圖》指會大力支援先進製造產業，包括半導體產業在港設立和製造生產線，以符中國新質生產力原則。

科技園聯合麻省光子技術舉行香港首條超高真空第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮。

創新科技及工業局局長孫東教授。

氮化鎵用途廣泛 料將提高供應鏈安全

麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韬博士指，今次在科學園設立第三代半導體氮化鎵（GaN）外延工藝研發中心，致力推動第三代半導體晶圓技術的研發和量產，借香港國際化市場地位，與全球半導體競爭。公司生產的晶片，將大幅降低半導體產業對傳統矽基（Silicon）材料的依賴，實現產業鏈自主可控，並能廣泛應用於健康醫療、消費電子、光伏、電動汽車等尖端領域。

麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韬博士。

他指，麻省光子技術計劃入駐新建的香港科技園微電子中心（MEC），建設香港首條8寸氮化鎵外延片研發中試產線，三年內完成並啟動量產產線建設，年產1萬片，將香港製造的外延片產品推向全球市場。基於應用廣闊，料需求相信會遠比目標產量高。

他也表示，香港有良好的國際地位、資產權等，科技園對於第三代半導體也有良好的規劃，吸引公司來港發展，未來希望在港上市。

香港科技園公司行政總裁黃克強。

科技園聯合麻省光子技術舉行香港首條超高真空第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮。

創新科技及工業局局長孫東表示，自從政府公布《香港創新科技發展藍圖》，過去兩年推出不同措施，達成不錯的開局。

孫東。創新科技及工業局FB

他指，例如現屆政府首份《施政報告》提出「5年內要引進100家重點企業」的目標，提前3年完成，但要成為「香港矽谷」或國際創科中心，仍然有相當一段路要走，需要將本港創科的基礎和優勢轉化為實質生產力和經濟增長。他認為，歷史留予香港的時間並不多，政府財政上存在很多挑戰，但發展產業也需要資金，政府需要研究透過有限的投入，推動社會更多資本參與。

香港科技園

孫東在一個電台節目指，政府近年投資超過2000億元發展創科，但絕大部分用於基建，即使用於前沿科技的投資逐年增加，去年科研開支佔本地生產總值比率破記錄最高水準，但與周邊地區相比仍然很低，建議參考內地模式，長遠需要加強高質量發展，鼓勵企業產業投資科研，認為只要企業有強大科技需求，就會投資上游，帶動新科技促進產業發展，形成良性循環。

孫東又指，河套港深創新及科技園香港園區首3座大樓最快今年底落成，目標未來數年首批合共8座大樓要建成。園區將採取4大方向，包括建立世界級產學研平台；具有國際競爭力的產業轉化基地；成為匯聚創科資源高地，以及成為國家新制度新政策試驗地，今年年底將公布詳細內容，又指59家企業將進駐首先落成的3座大樓，當中3成首次來港。

新田科技城預想圖。資料圖片

孫東提到，香港地少人多，資源緊張，不會所有產業都做，重點產業將大量發展，本港未來三大園區分布南中北區，包括數碼港、科學園和新田科技城，各園區有一定分工，但不排除園區之間有個別領域重合，個別企業會根據自己實際情況，選擇心儀的園區。

孫東說，早前到北京拜訪國家衞健委，認為國家非常支持在醫療數據和生物樣本跨境流動到香港河套區，目前進展良好，內地不少自貿區在相關範疇已有較開放的政策，河套區日後可作參考，採取更優惠措施，雙方將繼續探討如何將政策落地實行。